牛津plasmalab系统90rie/pecvd系统（反应离子刻蚀/等离子体增强化学气相沉积）
*rfx600电源（60013.56瓦兆赫）射频电源
*全自动射频匹配器
* mks的652节流阀控制
* sc技术得工艺深度检测系统
* techware系统tc-ⅲ型plc
*巴尔查斯tcp- 380涡轮泵控制器
*巴尔查斯tcu -330s涡轮泵

用途：离子刻蚀及pecvd系统，用于半导体、电子、太阳能等领域

优点:
- 工艺灵活，既可采用rie/pe，也可采用icp
- 先进的管芯工艺：采用等离子体加速器的刻蚀速率比标准的rie工艺快20倍
产品范围：
- 可以处理300mm晶片的rie/pe双模式设备
- 快速低损伤的模具刻蚀装置
- 处理200mm晶片的双模式设备
- 填充用的正硅酸乙酯（teos）工艺
应用:
- 各向同性的聚酰亚胺的去除（rie或icp模式）
- 各向同性的氮化物（钝化层）的去除（pe或icp模式）
- 各向异性的氧化物（金属间介质/层间介质）的去除（rie或icp模式）
- 各向异性的低k值氧化物的去除（rie或icp模式）
- 金属支架的去除（rie或icp模式）
- 多晶硅的去除（rie模式）
- 铝或铜的去除（icp模式）