优势：

1.         内含γ源的LaBr3晶体取代内嵌α源的NaI晶体

在0.2-2.2和2.2-4.5MeV能区的本底计数率仅为内嵌α源NaI(Tl)晶体的5%和0.7%,采用内含γ源的LaBr3:Ce晶体相对内嵌α源的NaI(Tl)晶体的探测技术具有本底低并且对¹⁶N的探测效率和分辨率都高的优越性。

2.         内含γ源LaBr3:Ce晶体在¹⁶N检测全能区的本底计数率均低，可兼顾0.2-2.2、2.2-4.5、4.5-7.0等三个能区的计数率变化，实现全能区检测。

3.         LaBr3:Ce晶体测¹⁶N刻度源在0.2-2.2MeV能区的计数率是NaI(Tl)的1.21倍，在原有两级报警的基础上可增设预警级。 LaBr3:Ce泄露预警级的计数率是本底计数率的12倍，有较高的可靠性。

4.         总γ通道(0.2~2.2MeV) LaBr3:Ce晶体探测效率是NaI(Tl)晶体的1.57倍，¹⁶N通道(4.5~7.0MeV)探测效率LaBr3:Ce晶体是NaI(Tl)晶体的2.67倍。

5.         ¹⁶N发射的6.13MeVγ射线能谱，实时显示并存储下来，供核电站分析存档。

技术指标

被测介质条件
被测辐射：      γ辐射
被测能量范围：  16N γ能量4.5~7MeV
                其它γ核素0.2~4.5MeV
基本技术要求
测量范围：      16N   0.1~5000L/h, 0.1~5000CPS
                总γ 0.1~5000CPS
探测灵敏度：    0.1L/h
泄漏率总误差：  ≤20%
γ能谱分析：
能量：          0.2~7 MeV
道数：          最大4096可设置
线性：          ±1%
采用稳峰源（La138）进行峰位控制
报警阈值可在整个测量范围设定（可设高、低报警阈值），预警级，一级，二级；